Wafer mapping

Mapping der Kristallorientierung bei Wafern

Über die punktweise Vermessung der Oberfläche (Mapping) kann die Homogenität der Kristallorientierung von Wafern bestimmt werden. Die Verteilung des Schnittwinkels gibt Hinweise auf

• die Kristallqualität
• Qualität der Sägeprozesse
• Qualität des Läppens bzw. der Politur

Die Maschine arbeitet ebenfalls mit dem laserkorrigierten Omega-Scan. Die Probe liegt auf einem Polarkoordinaten-Tisch, mit dem jeder Punkt auf der Probe angefahren und als Drehpunkt (Messpunkt) eingestellt werden kann. Der gesamte Polarkoordinaten-Tisch mitsamt Probe ist wiederum auf der Hauptdrehachse (Omega-Achse) befestigt, die für den Omega-Scan nötig ist. Die Maschine hat einen automatischen Zuführmechanismus für eine reproduzierbare Positionierung des Wafers. Drei Wafer können vorgeladen und vollautomatisch nacheinander vermessen werden. Spezifikationen:

• Wafer: Silicium, SiC, Saphir, Quarz*
• Geeignete Wafergrössen:
  Runde Wafer mit D = 0,5" - 4" (12,7 - 101,6mm) mit und ohne Flat
  Rechteckige Wafer von 12x12mm² bis 75x75mm² Kantenlänge
• Durchmesser des Messflecks: 1mm
• Positioniergenauigkeit des Messflecks in X- und Y-Richtung: 0,1mm
  
• Messzeit pro Punkt (bei 3 Überlagerungen): 9 Sekunden
• Messzeit für einen Wafer mit 40x20 Messpunkten: 2 Stunden
• Reproduzierbarkeit (bei 3 Überlagerungen) bei der Messung von AT-Quartz:
  3 Winkelsekunden**

*) andere Materialien und Orientierungen auf Anfrage
**) abhängig von der Oberflächenqualität

Verteilung des Schnittwinkels AT-CUT über die Oberfläche eines Quarzwafers 40x20 mm²
(Spanne der Messwerte: 2 Winkelminuten)

Durchbiegung des Wafers (gemessen mittels Laser, Spanne der Messwerte: 10 Winkelminuten)

Messtisch mit Quarzwafer

Gesamtansicht der Maschine

Weitere Informationen:

• Infoblatt zur Wafermaschine
• Funktionsprinzip Omega-Scan